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晶振負載電容是什么意思?關于晶振負載電容

負載電容又可稱為匹配電容是包括有源晶振和無源晶振在內使用和選型與替換中的一個重要且特有的概念。本文收集整理了這個概念的對晶振的含義和作用等,僅供參考。如有疑問請咨詢 鴻星代理商南京鼎魁科技選型工程師:025-84404715

一、什么是負載電容?

負載是指連接在電路中的電源兩端的電子元件負載包括容性負載、阻性負載和感性負載三種。電路中不應沒有負載而直接把電源兩極相連,此連接稱為短路。常用的負載有電阻、引擎和燈泡等可消耗功率的元件。不消耗功率的元件,如電容,也可接上去,但此情況為斷路。容性負載的含義是指具有電容的性質(充放電,電壓不能突變)即和電源相比當負載電流超前負載電壓一個相位差時負載為容性(如負載為補償電容)。
負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和,可看作晶振在電路中串接了一個電容。
負載電容

二、負載電容在晶振選型和替換中的意義?

晶振的標稱值在測試時有一個“負載電容”的條件,在工作時滿足這個條件,振蕩頻率才與標稱值一致。負載電容只是保持這個固定的電壓值,不起其他的作用。不同晶振需要不同的電壓,和容值是有關系的。負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標稱頻率相同的晶振,負載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率,一個是串聯揩振晶振的低負載電容晶振:另一個為并聯揩振晶振的高負載電容晶振。所以,標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至,不能冒然互換,否則會造成電器工作不正常。

晶振的標稱值在測試時有一個“負載電容”的條件,在工作時滿足這個條件,振蕩頻率才與標稱值一致。一般來講,串聯諧振晶體有低負載電容,并聯晶振有高負載電容。在電路上的特征為:晶振串一只電容跨接在IC兩只腳上的,則為串聯諧振型;一只腳接IC,一只腳接地的,則為并聯型。
如確實沒有原型號,需要代用的可采取串聯諧振型電路上的電容再并一個電容,并聯諧振電路上串一只電容的措施。例如:4.433MHz晶振,并一只3300PF電容或串一只70P的微調電容。

三、晶振電路中兩端的電容起到什么作用:

這個是晶體的匹配電容,只有在外部所接電容為匹配電容的情況下,振蕩頻率才能保證在標稱頻率附近的誤差范圍內。優秀按照所提供的數據來,如果沒有,一般是30pF左右。太小了不容易起振。在某些情況下,也可以通過調整這兩個電容的大小來微調振蕩頻率,當然可調范圍一般在10ppm量級。
1. 晶振時振時不振------a:晶振負載與兩端電容不匹配造成頻率偏差太大;b:晶振本身有問題,寄生&阻抗值波動大&內部焊點不牢等。
2. 晶振裝板上不行,用電熱風催一下或者拆下來重新裝上去又可以了------主要是晶振負載與兩端電容不匹配造成頻率偏差太大。電熱風催實際是相當于改變了線路的雜散電容。
3. 晶振負載與晶振兩端的電容的匹配-------
CL=(C1*C2)/(C1+C2)+C”
其中CL:晶振的負載電容值; C1 C2:晶振兩端的電容值;C”:線路雜散電容
晶振的匹配電容的主要作用是匹配晶振和振蕩電路,使電路易于啟振并處于合理的激勵態下,對頻率也有一定的“微調”作用。對MCU,正確選擇晶振的匹配電容,關鍵是微調晶體的激勵狀態,避免過激勵或欠激勵,前者使晶體容易老化影響使用壽命并導致振蕩電路EMC特性變劣,而后者則不易啟振,工作亦不穩定,所以正確地選擇晶體匹配電容是很重要的。
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